Проект запустят на базе одного из ведущих предприятий группы — НИИ электронной техники (НИИЭТ) в Воронеже.
Иллюстративное фото:
ГК «Элемент».
Реализация проекта
позволит дополнить существующие мощности
НИИЭТ по сборке СВЧ- и силовых переключающих
GaN-транзисторов кристальным производством
электронных компонентов с использованием
нитрида галлия и создать первое в России
производство GaN-транзисторов полного
цикла, пишет издание «Коммерсантъ» со
ссылкой на представителя группы компаний.
Нитрид галлия —
современный полупроводниковый материал,
который благодаря своим свойствам
позволяет создавать транзисторы,
работающие при более высоких температурах,
на более высоких частотах, с большей
плотностью мощности и энергоэффективностью,
чем приборы на основе кремния. Это делает
его одним из самых привлекательных
материалов для использования в таких
устройствах, как блоки питания, в том
числе серверные, а также для СВЧ-применения,
в частности в модулях усилителя
радиосигнала в телекоммуникационном
оборудовании.
Проектная мощность
нового кристального производства
составит 5,5 тыс. пластин в 200-миллиметровом
эквиваленте в год.
Проект реализуется с
использованием льготного финансирования
в рамках механизма кластерной
инвестиционной платформы (КИП). Оператор
программы КИП является Фонд развития
промышленности.
Выбор НИИЭТ в качестве
площадки для размещения кристального
производства представитель «Элемента»
объясняет наличием у предприятия
соответствующих заделов в серийном
производстве силовых приборов на нитриде
галлия.